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W9751G6NB-25I存储器集成电路(IC)-型号参数

时间: 2024-04-09

W9751G6NB-25I.png

技术参数

品牌:WINBOND华邦
型号:W9751G6NB25I
封装:VFBGA84
批号:20+
数量:1
RoHS:
产品种类:电子元器件
最小工作温度:-10C
最大工作温度:130C
最小电源电压:3V
最大电源电压:6V
长度:6.3mm
宽度:7.4mm
高度:2.8mm

1.一般说明:

W9751G6NB是一个512M位DDR2 SDRAM,组织为8388608个字x 4个存储体x 16位。该设备可实现高达1066Mbps(DDR2-106)的高速传输速率,适用于各种应用。W9751G6NB分为以下速度等级:-18、-25、-3、181、251、-31、18J、25和-3J。-18,18l和18J级零件符合DDR2-1066(7-7-7)规范(181工业级,保证支持-40”C S TCASE S 95”C,18J工业级,确保支持-40”S TCASE S 105C)。-25、251和25J级零件满足DDR2-800(5-5-5)或DDR2-800(251工业级,保证支持-40“C S TCASE S 95’C,25工业级以上,保证支持-40*C S TCASES 105C)。-3、-3l和-3J级零件符合DDR2-867(5-5-5)规范(-3l工业级,确保支持-40”C S TCASE S 95‘C,-3J工业级,保障支持-40”C S TCASE S 105C)。所有的控制和地址输入都与一对外部提供的差分锁同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点(CLK上升和CLK下降)。所有/O都以源同步方式与单端DOS或差分DQS-bos对同步。

2.特点

  • 电源:VDD,VDDQ=1.8V±0.1V
  • 双数据速率架构:每个时钟周期两次数据传输
  • CAS延迟:3、4、5、6和7
  • 突发长度:4和8
  • 双向差分数据选通管(DQS和数据质量标准)与数据一起发送/接收
  • 边缘与读取数据对齐,中心与写入数据对齐
  • DLL将DQ和DQS转换与时钟对齐
  • 差分时钟输入(CLK和CLK公司)
  • 写入数据的数据掩码(DM)
  • 在每个正CLK边、数据和数据掩码上输入的命令都引用到两条边DQS的
  • 已发布CAS
  • 支持可编程附加延迟以提高命令和数据总线的效率
  • 读取延迟=附加延迟加上CAS延迟(RL=AL+CL)
  • 芯片外驱动器阻抗调节(OCD)和芯片内端接(ODT),以获得更好的信号质量
  • 读取和写入突发的自动预充电操作
  • 自动刷新和自刷新模式
  • 预充电断电和主动断电
  • 写入数据掩码
  • 写入延迟=读取延迟-1(WL=RL-1)
  • 接口:SSTL_18
  • 采用VFBGA 84球(8x12.5 mm2.厚度1.0 mm)封装,采用无铅材料符合RoHS