IPB80N04S4-03汽车功率芯片规格参数资料
技术参数
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | IPB80N04S4-03 |
| 封装： | TO-263 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 10000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 3.3 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Qg-栅极电荷： | 51 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 94 W |
| 配置： | Single |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 4.4 mm |
| 长度： | 10 mm |
| 系列： | OptiMOS-T2 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 9.25 mm |
| 下降时间： | 16 ns |
| 上升时间： | 12 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 14 ns |
| 典型接通延迟时间： | 14 ns |
| 零件号别名： | IPB80N04S403ATMA1 SP000671628 IPB8N4S43XT IPB80N04S403ATMA1 |
| 单位重量： | 4 g |
特征描述
- N 通道 - 增强模式
- AEC 认证
- MSL1 峰值回流温度高达 260°C
- 175°C 的工作温度
- 环保产品（符合 RoHS）
- 100% 经过雪崩测试
优势
- 40V 时， RDS (on)为世界极低值
- 极高的冲击电流能力
- 极低的开关功耗和传导功率损耗，造就极高的热效率
- 稳固的封装，出色的品质，高可靠性
- 优化极栅电荷总量，实现更小的驱动器输出级
潜在应用
- OptiMOS-T2 40V 适用于各种 EPS 电机控制、三相和 H 桥电机、HVAC 风扇控制、电动泵等，特别适合与 PWM 控制结合使用。
- OptiMOS-T2 40V 产品基于英飞凌先进沟槽栅技术，将成为下一代高能效、低 CO2 排放、电驱动汽车应用的标杆。
