STW50N65DM2AG场效应管分立半导体产品-技术资料
技术参数
| 品牌： | STM |
| 型号： | STW50N65DM2AG |
| 封装： | TO-247-3 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 7500 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| 安装风格： | Si |
| 封装 / 箱体： | Through Hole |
| 晶体管极性： | TO-247-3 |
| 通道数量： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 1 Channel |
| Id-连续漏极电流： | 650 V |
| Rds On-漏源导通电阻： | 38 A |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 87 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 25 V |
| Qg-栅极电荷： | 4 V |
| 最小工作温度： | 70 nC |
| 最大工作温度： | - 55 C |
| Pd-功率耗散： | + 150 C |
| 通道模式： | 300 W |
| 资格： | Enhancement |
特征
- AEC-Q101合格
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容，电容
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt耐用性
- 齐纳保护
应用
- 切换应用程序
