| 品牌： | STM |
| 型号： | STD16NF06LT4 |
| 封装： | TO-252 |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 5000 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 24 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 70 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 7.5 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 40 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 2.4 mm |
| 长度： | 6.6 mm |
| 系列： | STD16NF06L |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel Power MOSFET |
| 宽度： | 6.2 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 12 S |
| 下降时间： | 6 ns |
| 上升时间： | 30 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 20 ns |
| 典型接通延迟时间： | 12 ns |
| 单位重量： | 4 g |
这种功率MOSFET是STM微电子独特的“单功能尺寸”条形工艺的最新发展。结果晶体管显示出极高的封装密度，具有低导通电阻、坚固的雪崩特性和不太关键的对准步骤，从而提高了显著的制造可生产性
