| 品牌: | ISSI |
| 型号: | IS62C25616BL-45TLI |
| 数量: | 135 |
| 制造商: | ISSI |
| 产品种类: | 静态随机存取存储器 |
| RoHS: | 是 |
| 存储容量: | 4 Mbit |
| 组织: | 256 k x 16 |
| 访问时间: | 45 ns |
| 接口类型: | Parallel |
| 电源电压-最大: | 5.5 V |
| 电源电压-最小: | 4.5 V |
| 电源电流—最大值: | 20 mA |
| 最小工作温度: | - 40 C |
| 最大工作温度: | + 85 C |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | TSOP-44 |
| 存储类型: | SDR |
| 系列: | IS62C25616BL |
| 类型: | Asynchronous |
| 商标: | ISSI |
| 湿度敏感性: | Yes |
| 产品类型: | SRAM |
| 工厂包装数量: | 135 |
| 子类别: | Memory & Data Storage |
| 单位重量: | 470 mg |
ISSI IS62C25616BL和IS65C25616BL是高速4194304位静态RAM,由262144个字乘16位组成。它们是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这一高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,以低功耗产生高达12ns的访问时间。当CE为HIGH(取消选择)时,设备采用待机模式,在该模式下,功耗可以随着CMOS输入电平而降低。通过使用芯片使能和输出使能输入、CE和OE,可以轻松扩展内存。激活的LOW Write Enable(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许高位字节(UB)和低位字节(LB)访问。IS62C25616BL和IS65C25616BL封装在JEDEC标准44引脚TSOP(II型)中。