欢迎光临太航半导体网站
  • 邮箱: info@thicg.com
  •      电话:400-900-8098
400-900-8098

FDS6612A分立半导体产品晶体管-技术资料

时间: 2023-12-29

FDS6612A.png

术参数

品牌:Onsemi
型号:FDS6612A
封装:stock
批号:21+
数量:1000
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:8.4 A
Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
高度:1.75 mm
长度:4.9 mm
系列:FDS6612A
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:3.9 mm
正向跨导 - 最小值:30 S
下降时间:3 ns
上升时间:5 ns
典型关闭延迟时间:22 ns
典型接通延迟时间:7 ns
零件号别名:FDS6612A_NL
单位重量:130 mg

一般说明:

此N沟道逻辑电平MOSFET使用ON Semiconductor的先进的PowerTrench工艺特别适合将导通电阻降至最低并且仍然保持优异的切换性能。这些设备非常适合低电压和电池供电的应用,其中低在线需要功率损耗和快速切换。

特征:

•8.4安,30伏RDS(开)=22米Ω @ VGS=10伏RDS(开启)=30米Ω @ VGS=4.5伏

•切换速度快

•低栅极电荷

•高性能沟槽技术RDS低(打开)

•高功率和高电流处理能力