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BQ2204ASNTR非易失性控制器单元-型号参数

时间: 2023-11-28

BQ2204ASNTR.png

技术参数

品牌:TI
型号:BQ2204ASNTR
封装:SOIC
批号:22+
数量:16000
制造商:Texas Instruments
产品种类:存储器控制器
RoHS:
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOP-16
工作温度范围:- 40 C to + 85 C
系列:bq2204A
湿度敏感性:Yes
单位重量:666 mg

概述:CMOS bq2204A SRAM非易失性控制器单元提供了将多达四组标准CMOS SRAM转换为非易失读/写存储器的所有必要功能。精密比较器监测5V VCC输入是否存在超差情况。当检测到超出公差时,四个条件芯片使能输出被强制停用,以写入保护多达四个SRAM组。

功能描述:使用bq2204A的VOUT和条件芯片使能输出引脚,最多可以对四组CMOS静态RAM进行电池备份。当VCC在电源故障期间下降时,受调节的芯片使能输出CECON1至CECON4被强制不活动,而与芯片使能输入CE无关。当VCC下降到超出容限阈值VPFD以下时,该活动无条件地写入保护外部SRAM。VPFD由阈值选择输入引脚THS选择。如果THS连接到VSS,则电源故障检测发生在4.62V(5%电源操作的典型电压)。如果THS与VCC相连,则电源故障检测发生在4.37V(10%供电操作的典型电压)。THS引脚必须连接到VSS或VCC才能正常工作。如果在电源故障检测期间正在对SRAM的四个外部组中的任何一个进行存储器访问,则在存储器被写保护之前,该存储器周期将继续完成。如果存储器周期未在时间tWPT内终止,则所有四个芯片使能输出均被无条件地驱动为高电平,从而对受控SRAM进行写保护。当电源持续下降超过VPFD时,内部开关设备强制VOUT到两个外部备用能源中的一个。CECON1到CECON4被VOUT能量源保持为高电平。在上电期间,当VCC上升到源于VOUT的备份单元输入电压之上时,VOUT切换回5V电源。输出CECON1至CECON4在电源达到VPFD后保持不活动时间tCER(最大120ms),与CE输入无关,以实现处理器稳定。在功率有效操作期间,CE输入以小于10ns的传播延迟传递到四个CECON输出中的一个。CE输入在四个CECON输出引脚中的一个上输出,这取决于如真值表中所示的A和B处的解码输入的电平。A和B输入通常连接到高阶地址引脚,因此可以使用低密度存储设备设计大型非易失性存储器。非易失性和解码是通过硬件连接实现的,如图1所示。